据了解，为实现自主创新发展，我国于2008年实施了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”，经过9年攻关，成功打造了我国集成电路制造业创新体系。9年来，我国主流工艺水平提升了5代，55、40、28纳米三代成套工艺研发成功并实现量产，22、14纳米先导技术研发取得突破，已研制成功30多种高端装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到国际先进水平。封装企业也从低端进入高端，三维高密度集成技术达到了国际先进水平。这一系列从无到有的突破，使我国集成电路制造技术体系和产业生态得以建立和完善。
我国高端芯片研制已具备基本条件
“十三五”国家重点研发计划宽带通信和新型网络重点专项专家组成员、北京大学教授李红滨表示，近年来我国通信产业取得的成绩有目共睹。“从农用交换机和边沿设备起步，到现在通信设备产品全覆盖，从2G、3G再到4G、5G，在通信系统技术方面已经位居世界前列。”
李红滨表示，我国通信行业在经历一个从低端到高端的发展过程。“事实上，这些年已经有不少企业投入大量研发力量去做高端研发，有的企业在关键芯片上已持续不断地做了一二十年，也取得了创新性的成果。”
李红滨介绍，我国近年来在信息通信领域加紧布局，组织实施了多种项目，一些单凭企业自身无法实现的平台、装备等依靠国家投入已初见成效，今后将发挥更大作用。“只要我们坚持已有的开放、竞争合作、共同发展道路不动摇，集中政府、研发机构、企业的优势力量，相信用不了太久，在产业链高端--核心芯片上也会取得同样令世人瞩目的成就。”
“当前我国已掌握中低端光电子器件关键技术，具备生产能力，但产能不足。在高端光电子器件研发方面，一些关键技术取得突破性进展，研制成功的原型器件通过系统功能验证，某些关键技术达到国际先进水平。”祝宁华介绍，仅从“863”计划的“十二五”规划来看，国家针对宽带通信、高性能计算机、骨干网络、无线通信和微波光波融合等领域方向中的光电子器件进行了重点部署。
“这些研发项目有很多是前瞻布局的，中兴通讯此次受到限制的所有芯片，在‘十二五’和‘十三五’国家重点研发计划中，都有相应部署。”祝宁华说，半导体激光器被称为信息网络的心脏，在光传输和交换设备中，光器件占百分之六七十的成本比重。
祝宁华分析，当前我国在光电子高端芯片研制上已具备基本条件，无论技术积累还是资金投入，以及高端核心人才的培养和储备，都具备了一定基础条件。“只要国家选定面向未来信息网络急需的1—2类核心关键光电子芯片，集中资源，从设计、研发、器件制备到封装测试进行综合布局，同时通过国家引导、地方和企业的参与，构建完善的光电子芯片加工工艺平台，相信高端芯片研发将不断取得新的突破。”
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